Hersteller Produktnummer:
IPI65R280C6XKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPI65R280C6XKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventar:
12801191
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IPI65R280C6XKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 440µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
950 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
104W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO262-3
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
IPI65R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
2156-IPI65R280C6XKSA1
IFEINFIPI65R280C6XKSA1
IPI65R280C6
IPI65R280C6-DG
SP000785056
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STI20N65M5
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
1000
TEILNUMMER
STI20N65M5-DG
Einheitspreis
1.27
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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