Hersteller Produktnummer:
IPI65R190CFDXKSA2
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPI65R190CFDXKSA2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventar:
12801294
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IPI65R190CFDXKSA2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolMOS™ CFD2
Produktstatus
Last Time Buy
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 700µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1850 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
151W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO262-3
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
IPI65R190
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
SP001987344
448-IPI65R190CFDXKSA2
IPI65R190CFDXKSA2-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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