Hersteller Produktnummer:
IPI65R110CFDXKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPI65R110CFDXKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventar:
12805494
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IPI65R110CFDXKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
31.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 12.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 1.3mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3240 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
277.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO262-3
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
IPI65R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
IPI65R110CFD-DG
2156-IPI65R110CFDXKSA1
IPI65R110CFD
INFINFIPI65R110CFDXKSA1
SP000896398
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STI33N60M2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
STI33N60M2-DG
Einheitspreis
1.72
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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