Hersteller Produktnummer:
IPI50R350CP
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPI50R350CP-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 550V 10A TO262-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 550 V 10A (Tc) 89W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventar:
12846233
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IPI50R350CP Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
550 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 370µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1020 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
89W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO262-3
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
IPI50R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
SP000236084
2156-IPI50R350CP
ROCINFIPI50R350CP
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STP18N55M5
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
971
TEILNUMMER
STP18N55M5-DG
Einheitspreis
1.33
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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