Hersteller Produktnummer:
IPI100N08N3GHKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPI100N08N3GHKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 70A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventar:
12804329
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPI100N08N3GHKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 46µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2410 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO262-3
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
IPI100N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
SP000474192
IPI100N08N3 G-DG
IPI100N08N3 G
SP000680710
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRFR220NPBF
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
IRF7464PBF
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO
IPB80N03S4L03ATMA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3