Hersteller Produktnummer:
IPI100N06S3L-03
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPI100N06S3L-03-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 55 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventar:
12802857
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPI100N06S3L-03 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 230µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
550 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
26240 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO262-3
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
IPI100N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
IPI100N06S3L-03IN
IPI100N06S3L-03-DG
IFEINFIPI100N06S3L-03
IPI100N06S3L03X
SP000087979
IPI100N06S3L03XK
2156-IPI100N06S3L-03-IT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRFP7430PBF
MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC
AUIRFP4409
MOSFET N-CH 300V 38A TO247AC
IPD30N06S2-15
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
