Hersteller Produktnummer:
IPI072N10N3GXKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPI072N10N3GXKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventar:
12800148
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPI072N10N3GXKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 90µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4910 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO262-3
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
IPI072
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
IPI072N10N3 G-DG
IPI072N10N3 G
SP000680674
2156-IPI072N10N3GXKSA1-448
IPI072N10N3G
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IPC302N15N3X1SA1
MOSFET N-CH 150V 1A SAWN ON FOIL
IPI60R165CPAKSA1
MOSFET N-CH 650V 21A TO262-3
IPD65R660CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3