Hersteller Produktnummer:
IPI045N10N3GXK
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPI045N10N3GXK-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 137A TO262-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 137A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventar:
12800266
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPI045N10N3GXK Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™ 3
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
137A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 150µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8410 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
214W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO262-3
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
IPI045N
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SP000482424
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IPD50R280CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 13A TO252-3
IPB70N10SL16ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
IPB45N06S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
