Hersteller Produktnummer:
IPI028N08N3GHKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPI028N08N3GHKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventar:
12801377
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IPI028N08N3GHKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 270µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
14200 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO262-3
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
IPI028N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
IPI028N08N3 G
SP000395160
IPI028N08N3 G-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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