Hersteller Produktnummer:
IPG20N04S4L11AATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPG20N04S4L11AATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 40V 20A 41W Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
Inventar:
12808389
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPG20N04S4L11AATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11.6mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 15µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1990pF @ 25V
Leistung - Max
41W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount, Wettable Flank
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TDSON-8-10
Basis-Produktnummer
IPG20N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
IPG20N04S4L11AATMA1TR
IPG20N04S4L11AATMA1DKR
INFINFIPG20N04S4L11AATMA1
SP001023836
2156-IPG20N04S4L11AATMA1
IPG20N04S4L11AATMA1-DG
IPG20N04S4L11AATMA1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRF7530TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
IRFI4212H-117P
MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5
IRF7342TRPBF
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO