Hersteller Produktnummer:
IPDQ65R029CFD7AXTMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPDQ65R029CFD7AXTMA1-DG
Beschreibung:
AUTOMOTIVE_COOLMOS
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 85A (Tc) 463W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1
Inventar:
13240521
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IPDQ65R029CFD7AXTMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 35.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 1.79mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
139 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7149 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
463W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-HDSOP-22-1
Paket / Koffer
22-PowerBSOP Module
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
750
Andere Namen
448-IPDQ65R029CFD7AXTMA1CT
448-IPDQ65R029CFD7AXTMA1TR
448-IPDQ65R029CFD7AXTMA1DKR
SP005537525
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
DIGI-Zertifizierung
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