IPD95R450P7ATMA1
Hersteller Produktnummer:

IPD95R450P7ATMA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IPD95R450P7ATMA1-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 950 V 14A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Inventar:

2174 Stück Neu Original Auf Lager
12803488
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

IPD95R450P7ATMA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™ P7
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
950 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 7.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 360µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1053 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
104W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD95R450

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
IPD95R450P7ATMA1TR
SP001792318
IPD95R450P7ATMA1CT
IPD95R450P7ATMA1DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
infineon-technologies

IPP80N06S3L-08

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

infineon-technologies

IRF3305PBF

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

infineon-technologies

IRFI530NPBF

MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP

infineon-technologies

IPL60R385CPAUMA1

MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON