Hersteller Produktnummer:
IPD90N10S4L06ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD90N10S4L06ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Inventar:
4873 Stück Neu Original Auf Lager
12803049
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IPD90N10S4L06ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.6mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.1V @ 90µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6250 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
136W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3-313
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD90
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
IPD90N10S4L06ATMA1-DG
IPD90N10S4L06ATMA1CT
IPD90N10S4L06ATMA1TR
IPD90N10S4L06ATMA1DKR
SP000866562
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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