Hersteller Produktnummer:
IPD80R1K0CEBTMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD80R1K0CEBTMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 5.7A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventar:
12804566
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IPD80R1K0CEBTMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
950mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
785 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3-11
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD80R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
INFINFIPD80R1K0CEBTMA1
2156-IPD80R1K0CEBTMA1
IPD80R1K0CEBTMA1TR
IPD80R1K0CEBTMA1CT
IPD80R1K0CEBTMA1DKR
SP001100606
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPD80R1K0CEATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
2125
TEILNUMMER
IPD80R1K0CEATMA1-DG
Einheitspreis
0.58
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
STD7N80K5
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
5091
TEILNUMMER
STD7N80K5-DG
Einheitspreis
0.95
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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