Hersteller Produktnummer:
IPD65R650CEATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD65R650CEATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 10.1A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
12805721
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IPD65R650CEATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10.1A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 210µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
440 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
86W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD65R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SP001295798
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK7P65W,RQ
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
1403
TEILNUMMER
TK7P65W,RQ-DG
Einheitspreis
0.61
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IXTY4N65X2
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
70
TEILNUMMER
IXTY4N65X2-DG
Einheitspreis
1.07
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IPD65R650CEAUMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
2270
TEILNUMMER
IPD65R650CEAUMA1-DG
Einheitspreis
0.33
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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