Hersteller Produktnummer:
IPD650P06NMATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD650P06NMATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 22A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Inventar:
13516 Stück Neu Original Auf Lager
12801517
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IPD650P06NMATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1.04mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1600 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3-313
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD650
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
IPD650P06NMATMA1-DG
448-IPD650P06NMATMA1DKR
448-IPD650P06NMATMA1CT
448-IPD650P06NMATMA1TR
SP004987256
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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