Hersteller Produktnummer:
IPD60R650CEATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD60R650CEATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
12800367
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IPD60R650CEATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™ CE
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
440 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
63W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD60R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
IPD60R650CEATMA1DKR
IPD60R650CEATMA1TR
SP001276026
IPD60R650CEATMA1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STD11N65M2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
98
TEILNUMMER
STD11N65M2-DG
Einheitspreis
0.64
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IPD60R650CEAUMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IPD60R650CEAUMA1-DG
Einheitspreis
0.32
ERSATZART
Direct
Teilenummer
TSM70N750CP ROG
HERSTELLER
Taiwan Semiconductor Corporation
VERFÜGBARE ANZAHL
6
TEILNUMMER
TSM70N750CP ROG-DG
Einheitspreis
2.19
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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