Hersteller Produktnummer:
IPD60R3K4CEAUMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD60R3K4CEAUMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 2.6A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 2.6A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
4380 Stück Neu Original Auf Lager
12810097
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPD60R3K4CEAUMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™ CE
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.4Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 40µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
93 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
29W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD60R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
448-IPD60R3K4CEAUMA1CT
SP001422856
448-IPD60R3K4CEAUMA1TR
448-IPD60R3K4CEAUMA1DKR
IPD60R3K4CEAUMA1-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
BUK754R7-60E,127
MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
BUK9610-55A,118
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
BSN254,126
MOSFET N-CH 250V 310MA TO92-3
