Hersteller Produktnummer:
IPD60R3K3C6
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD60R3K3C6-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 1.7A (Tc) 18.1W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
12804769
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Menge
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IPD60R3K3C6 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™ C6
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.3Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 40µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
93 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
18.1W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD60R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SP000799130
IPD60R3K3C6DKR
IPD60R3K3C6BTMA1
IPD60R3K3C6TR
IPD60R3K3C6CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STD2N62K3
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
2192
TEILNUMMER
STD2N62K3-DG
Einheitspreis
0.54
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IPD60R3K3C6ATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
4490
TEILNUMMER
IPD60R3K3C6ATMA1-DG
Einheitspreis
0.22
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
SIHD2N80E-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
1
TEILNUMMER
SIHD2N80E-GE3-DG
Einheitspreis
0.48
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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