Hersteller Produktnummer:
IPD60R2K0PFD7SAUMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD60R2K0PFD7SAUMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 3A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-344
Inventar:
12823236
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IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™ PFD7
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 30µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
134 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
20W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3-344
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD60R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SP004177934
448-IPD60R2K0PFD7SAUMA1TR
448-IPD60R2K0PFD7SAUMA1CT
448-IPD60R2K0PFD7SAUMA1DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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