Hersteller Produktnummer:
IPD60R280PFD7SAUMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD60R280PFD7SAUMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 51W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-344
Inventar:
1871 Stück Neu Original Auf Lager
12810866
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPD60R280PFD7SAUMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™ PFD7
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 180µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
656 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
51W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3-344
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD60R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
448-IPD60R280PFD7SAUMA1TR
448-IPD60R280PFD7SAUMA1DKR
SP003493724
448-IPD60R280PFD7SAUMA1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IMW65R027M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
IPT60R022S7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
IPD60R1K5PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO252