Hersteller Produktnummer:
IPD60R280P7SAUMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD60R280P7SAUMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 53W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
2511 Stück Neu Original Auf Lager
12816265
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IPD60R280P7SAUMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™ P7
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 190µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
761 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
53W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD60R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
IPD60R280P7SAUMA1TR
IPD60R280P7SAUMA1-DG
IPD60R280P7SAUMA1CT
SP001658154
IPD60R280P7SAUMA1DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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