Hersteller Produktnummer:
IPD40N03S4L08ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD40N03S4L08ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-31
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 40A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventar:
12805554
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IPD40N03S4L08ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.3mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 13µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1520 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
42W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3-11
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD40N03
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SP000475916
2156-IPD40N03S4L08ATMA1
INFINFIPD40N03S4L08ATMA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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