Hersteller Produktnummer:
IPD30N06S2L23ATMA3
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD30N06S2L23ATMA3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 55 V 30A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventar:
14275 Stück Neu Original Auf Lager
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IPD30N06S2L23ATMA3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1091 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3-11
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD30N06
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
IPD30N06S2L23ATMA3CT
IPD30N06S2L23ATMA3DKR
2156-IPD30N06S2L23ATMA3
SP001061286
IPD30N06S2L23ATMA3-DG
IPD30N06S2L23ATMA3TR
INFINFIPD30N06S2L23ATMA3
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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