IPD30N03S2L20ATMA1
Hersteller Produktnummer:

IPD30N03S2L20ATMA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IPD30N03S2L20ATMA1-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 30A TO252-31
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

Inventar:

5035 Stück Neu Original Auf Lager
12848778
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

IPD30N03S2L20ATMA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 23µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
530 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3-11
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD30N03

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SP000254466
2156-IPD30N03S2L20ATMA1
IPD30N03S2L20ATMA1CT
IPD30N03S2L-20-DG
IPD30N03S2L20ATMA1TR
INFINFIPD30N03S2L20ATMA1
IPD30N03S2L20ATMA1DKR
IPD30N03S2L-20

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
onsemi

FQA11N90

MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3P

onsemi

FDA8440

MOSFET N-CH 40V 30A/100A TO3PN

onsemi

NTD110N02R-001

MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A IPAK

alpha-and-omega-semiconductor

AOWF12N60

MOSFET N-CH 600V 12A TO262F