Hersteller Produktnummer:
IPD170N04NGBTMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD170N04NGBTMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 30A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
12803572
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPD170N04NGBTMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 10µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
880 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
31W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD170N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
IPD170N04NGBTMA1TR
SP000388297
IPD170N04N G-DG
IPD170N04N G
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
DMN4026SK3-13
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
1599
TEILNUMMER
DMN4026SK3-13-DG
Einheitspreis
0.18
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRF3710ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
IRF9530NSTRRPBF
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
IPW65R080CFDFKSA1
MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247-3
