Hersteller Produktnummer:
IPD122N10N3GATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD122N10N3GATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 59A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
29796 Stück Neu Original Auf Lager
12800494
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IPD122N10N3GATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12.2mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 46µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2500 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
94W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD122
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
IPD122N10N3GATMA1DKR
IPD122N10N3GATMA1TR
SP001127828
IPD122N10N3GATMA1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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