Hersteller Produktnummer:
IPD100N06S403ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD100N06S403ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventar:
12800671
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IPD100N06S403ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 90µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
128 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
10400 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3-11
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD100N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
IPD100N06S4-03-DG
INFINFIPD100N06S403ATMA1
SP000415576
IPD100N06S4-03
IPD100N06S403ATMA1TR
2156-IPD100N06S403ATMA1
2156-IPD100N06S403ATMA1-ITTR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPD100N06S403ATMA2
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
2876
TEILNUMMER
IPD100N06S403ATMA2-DG
Einheitspreis
0.87
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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