Hersteller Produktnummer:
IPD06P002NATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD06P002NATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 35A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
12800876
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IPD06P002NATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
38mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1.7mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2500 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD06P
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SP001659626
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPD380P06NMATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
20836
TEILNUMMER
IPD380P06NMATMA1-DG
Einheitspreis
0.89
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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