Hersteller Produktnummer:
IPB80P04P407ATMA2
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB80P04P407ATMA2-DG
Beschreibung:
MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 40 V 80A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
1904 Stück Neu Original Auf Lager
12968743
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IPB80P04P407ATMA2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 150µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6085 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
88W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3-2
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB80P
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
448-IPB80P04P407ATMA2CT
448-IPB80P04P407ATMA2TR
448-IPB80P04P407ATMA2DKR
SP002325750
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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