Hersteller Produktnummer:
IPB80N06S2L09ATMA2
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB80N06S2L09ATMA2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
12800834
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IPB80N06S2L09ATMA2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.2mOhm @ 52A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 125µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2620 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
190W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3-2
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB80N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IPB80N06S2L09ATMA2-DG
448-IPB80N06S2L09ATMA2TR
SP001061720
2156-IPB80N06S2L09ATMA2TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPP100N06S2L05AKSA2
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
498
TEILNUMMER
IPP100N06S2L05AKSA2-DG
Einheitspreis
1.72
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IXTA90N075T2
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXTA90N075T2-DG
Einheitspreis
1.44
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IXTA90N055T2
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXTA90N055T2-DG
Einheitspreis
1.73
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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