Hersteller Produktnummer:
IPB80N06S2H5ATMA2
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB80N06S2H5ATMA2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
967 Stück Neu Original Auf Lager
12801351
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IPB80N06S2H5ATMA2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 230µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4400 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3-2
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB80N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IPB80N06S2H5ATMA2-DG
IFEINFIPB80N06S2H5ATMA2
IPB80N06S2H5ATMA2TR
IPB80N06S2H5ATMA2DKR
IPB80N06S2H5ATMA2CT
SP000376884
2156-IPB80N06S2H5ATMA2
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STB160N75F3
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
970
TEILNUMMER
STB160N75F3-DG
Einheitspreis
2.27
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IXTA140N055T2
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXTA140N055T2-DG
Einheitspreis
1.85
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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