Hersteller Produktnummer:
IPB70N10S3L12ATMA2
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB70N10S3L12ATMA2-DG
Beschreibung:
MOSFET_(75V 120V(
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
13269513
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IPB70N10S3L12ATMA2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12.1mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 83µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5570 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3-2
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SP005549661
448-IPB70N10S3L12ATMA2TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
DIGI-Zertifizierung
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