Hersteller Produktnummer:
IPB65R660CFDATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB65R660CFDATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
12800286
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Menge
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IPB65R660CFDATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
660mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
615 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
62.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB65R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SP000861698
IPB65R660CFDDKR-DG
IPB65R660CFDATMA1TR
INFINFIPB65R660CFDATMA1
IPB65R660CFDATMA1CT
IPB65R660CFDDKR
IPB65R660CFD-DG
IPB65R660CFDATMA1-DG
IPB65R660CFDCT-DG
IPB65R660CFDTR-DG
2156-IPB65R660CFDATMA1-ITTR
IPB65R660CFD
IPB65R660CFDATMA1DKR
IPB65R660CFDCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STB10N95K5
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
STB10N95K5-DG
Einheitspreis
1.48
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IXTA10N60P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXTA10N60P-DG
Einheitspreis
2.84
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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