IPB65R380C6ATMA1
Hersteller Produktnummer:

IPB65R380C6ATMA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IPB65R380C6ATMA1-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 10.6A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Inventar:

12800795
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IPB65R380C6ATMA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 320µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
710 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB65R

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IPB65R380C6ATMA1CT
IPB65R380C6DKR
IPB65R380C6CT
2156-IPB65R380C6ATMA1-ITTR-DG
IPB65R380C6
2156-IPB65R380C6ATMA1
SP000785084
INFINFIPB65R380C6ATMA1
IPB65R380C6DKR-DG
IPB65R380C6ATMA1TR
IPB65R380C6-DG
IPB65R380C6ATMA1DKR
IPB65R380C6TR-DG
IPB65R380C6CT-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
STB18N65M5
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
STB18N65M5-DG
Einheitspreis
1.32
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
STB13NM60N
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
1000
TEILNUMMER
STB13NM60N-DG
Einheitspreis
2.21
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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