IPB65R150CFDATMA2
Hersteller Produktnummer:

IPB65R150CFDATMA2

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IPB65R150CFDATMA2-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 22.4A (Tc) 195.3W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

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IPB65R150CFDATMA2 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™ CFD2
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
22.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 9.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 900µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2340 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
195.3W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB65R150

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SP001977036
448-IPB65R150CFDATMA2DKR
448-IPB65R150CFDATMA2CT
448-IPB65R150CFDATMA2TR
IPB65R150CFDATMA2-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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