Hersteller Produktnummer:
IPB65R125CFD7ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB65R125CFD7ATMA1-DG
Beschreibung:
HIGH POWER_NEW
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 98W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
12988721
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IPB65R125CFD7ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™ CFD7
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 420µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1694 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
98W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB65R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
448-IPB65R125CFD7ATMA1DKR
SP005413371
448-IPB65R125CFD7ATMA1TR
448-IPB65R125CFD7ATMA1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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