Hersteller Produktnummer:
IPB65R095C7ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB65R095C7ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
12800387
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IPB65R095C7ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™ C7
Produktstatus
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 11.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 590µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2140 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
128W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB65R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SP001080124
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPB60R080P7ATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IPB60R080P7ATMA1-DG
Einheitspreis
2.18
ERSATZART
Direct
Teilenummer
IPB65R095C7ATMA2
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
3399
TEILNUMMER
IPB65R095C7ATMA2-DG
Einheitspreis
2.71
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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