IPB65R045C7ATMA1
Hersteller Produktnummer:

IPB65R045C7ATMA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IPB65R045C7ATMA1-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 46A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 46A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Inventar:

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IPB65R045C7ATMA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™ C7
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
46A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 24.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1.25mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4340 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
227W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB65R

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IPB65R045C7ATMA1
HTML-Datenblatt
IPB65R045C7ATMA1-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IPB65R045C7ATMA1CT
2156-IPB65R045C7ATMA1TR
SP000929420
IPB65R045C7ATMA1TR
IPB65R045C7ATMA1DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IPB65R045C7ATMA2
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
1636
TEILNUMMER
IPB65R045C7ATMA2-DG
Einheitspreis
6.96
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
IPB60R060P7ATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
891
TEILNUMMER
IPB60R060P7ATMA1-DG
Einheitspreis
2.85
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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