Hersteller Produktnummer:
IPB60R950C6ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB60R950C6ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 4.4A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 4.4A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
12800973
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IPB60R950C6ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™ C6
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
950mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 130µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
280 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
37W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB60R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
2156-IPB60R950C6ATMA1-ITTR
IPB60R950C6ATMA1TR
INFINFIPB60R950C6ATMA1
IPB60R950C6
IPB60R950C6DKR
IPB60R950C6ATMA1CT
IPB60R950C6TR-DG
IPB60R950C6CT-DG
SP000660620
IPB60R950C6-DG
IPB60R950C6ATMA1-DG
IPB60R950C6CT
IPB60R950C6ATMA1DKR
IPB60R950C6DKR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STB6N60M2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
11994
TEILNUMMER
STB6N60M2-DG
Einheitspreis
0.57
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IPD60R950C6ATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
4797
TEILNUMMER
IPD60R950C6ATMA1-DG
Einheitspreis
0.41
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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