IPB407N30NATMA1
Hersteller Produktnummer:

IPB407N30NATMA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IPB407N30NATMA1-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 300V 44A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 300 V 44A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Inventar:

1181 Stück Neu Original Auf Lager
12857952
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

IPB407N30NATMA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
300 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
40.7mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 270µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7180 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB407

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SP001273344
448-IPB407N30NATMA1CT
IPB407N30NATMA1-DG
448-IPB407N30NATMA1TR
448-IPB407N30NATMA1DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
renesas-electronics-america

N0602N-S19-AY

MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3

onsemi

NTR4170NT3G

MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3

renesas-electronics-america

RJK5034DPP-A0#T2

MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP

onsemi

NTTFS4985NFTAG

MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN