Hersteller Produktnummer:
IPB180P04P4L02ATMA2
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB180P04P4L02ATMA2-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 40 V 180A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Inventar:
4559 Stück Neu Original Auf Lager
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IPB180P04P4L02ATMA2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS®-P2
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 410µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
286 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+5V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
18700 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-7-3
Paket / Koffer
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Basis-Produktnummer
IPB180
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
448-IPB180P04P4L02ATMA2DKR
448-IPB180P04P4L02ATMA2TR
SP002319828
448-IPB180P04P4L02ATMA2CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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