Hersteller Produktnummer:
IPB160N04S4H1ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB160N04S4H1ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 160A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Inventar:
870 Stück Neu Original Auf Lager
12800086
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IPB160N04S4H1ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 110µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
137 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
10920 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
167W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-7-3
Paket / Koffer
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Basis-Produktnummer
IPB160
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IFEINFIPB160N04S4H1ATMA1
IPB160N04S4H1ATMA1DKR
IPB160N04S4H1ATMA1TR
IPB160N04S4H1ATMA1CT
2156-IPB160N04S4H1ATMA1
SP000711252
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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