Hersteller Produktnummer:
IPB123N10N3GATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB123N10N3GATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 58A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
7030 Stück Neu Original Auf Lager
12800248
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IPB123N10N3GATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12.3mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 46µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2500 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
94W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB123
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
2156-IPB123N10N3GATMA1
IPB123N10N3GATMA1TR
SP000485968
IPB123N10N3 GTR-DG
IPB123N10N3G
IPB123N10N3 G
IPB123N10N3 GTR
IPB123N10N3GATMA1DKR
IPB123N10N3 GCT-DG
IPB123N10N3 G-DG
IPB123N10N3 GDKR-DG
IPB123N10N3GATMA1CT
IPB123N10N3 GDKR
IPB123N10N3 GCT
IFEINFIPB123N10N3GATMA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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