Hersteller Produktnummer:
IPB120P04P4L03ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB120P04P4L03ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 40 V 120A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
12801407
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IPB120P04P4L03ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 340µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
234 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
15000 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
136W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB120
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IPB120P04P4L03ATMA1CT
IPB120P04P4L03ATMA1DKR
IPB120P04P4L03ATMA1TR
SP000842284
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPB120P04P4L03ATMA2
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
1779
TEILNUMMER
IPB120P04P4L03ATMA2-DG
Einheitspreis
1.59
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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