Hersteller Produktnummer:
IPB110P06LMATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB110P06LMATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
1649 Stück Neu Original Auf Lager
12805254
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IPB110P06LMATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 5.55mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
281 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8500 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3-2
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB110
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
448-IPB110P06LMATMA1TR
SP004987252
448-IPB110P06LMATMA1CT
IPB110P06LMATMA1-DG
448-IPB110P06LMATMA1DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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