Hersteller Produktnummer:
IPB100N12S305ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB100N12S305ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 120 V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-1
Inventar:
3839 Stück Neu Original Auf Lager
12801003
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IPB100N12S305ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
120 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 240µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
11570 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3-1
Paket / Koffer
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Basis-Produktnummer
IPB100
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
2156-IPB100N12S305ATMA1TR
IPB100N12S305ATMA1CT
IPB100N12S305ATMA1TR
IPB100N12S305ATMA1DKR
SP001399682
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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