Hersteller Produktnummer:
IPB029N06NF2SATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB029N06NF2SATMA1-DG
Beschreibung:
TRENCH 40<-<100V
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 26A (Ta), 120A (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
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IPB029N06NF2SATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
StrongIRFET™2
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
26A (Ta), 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.3V @ 80µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4600 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.8W (Ta), 150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB029
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
448-IPB029N06NF2SATMA1DKR
SP005588962
448-IPB029N06NF2SATMA1CT
448-IPB029N06NF2SATMA1TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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