Hersteller Produktnummer:
IPB029N06N3GE8187ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB029N06N3GE8187ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
12803226
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPB029N06N3GE8187ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 118µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
13000 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
188W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB029
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IPB029N06N3 G E8187-DG
448-IPB029N06N3GE8187ATMA1DKR
SP000939334
IPB029N06N3GE8187ATMA1TR-DG
448-IPB029N06N3GE8187ATMA1TR
IPB029N06N3 G E8187
IPB029N06N3GE8187ATMA1TR
2156-IPB029N06N3GE8187ATMA1TR
448-IPB029N06N3GE8187ATMA1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IPT020N10N3ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
IPW60R280P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
IRFH5110TRPBF
MOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN
