Hersteller Produktnummer:
IPB011N04LGATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB011N04LGATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Inventar:
2493 Stück Neu Original Auf Lager
12803952
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPB011N04LGATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
346 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
29000 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-7-3
Paket / Koffer
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Basis-Produktnummer
IPB011
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IPB011N04L GCT
IPB011N04L GDKR
IPB011N04L GTR-DG
IPB011N04L GCT-DG
SP000391498
IPB011N04L GDKR-DG
IPB011N04LGATMA1CT
IPB011N04LG
IPB011N04L G
IPB011N04L GTR
IPB011N04L G-DG
IPB011N04LGATMA1DKR
IPB011N04LGATMA1TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IPD30N10S3L34ATMA1
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
IRF8788TRPBF
MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
IPI120N06S402AKSA2
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
